Le carbure de silicium, matériau semiconducteur du futur, est doté de deux propriétés très intéressantes pour la réalisation de convertisseurs électroniques de puissance à performances élevées. En premier lieu, une grande largeur de bande interdite, qui autorise, au moins en principe, les fonctionnements à haute température. En second lieu, un champ électrique critique élevé, d'un ordre de grandeur supérieur à celui du silicium. Ce niveau de champ critique autorise la réalisation de zones de tenue en tension à très faible résistance spécifique, comparativement au silicium, et donc de composants unipolaires (transistor JFET, diode Schottky, transistor MOSFET) à très faible résistance série. C'est cette seconde propriété que nous nous proposons d'étudier, pour la conception de convertisseurs électroniques de puissance à haut rendement de conversion
Ce travail de recherche porte essentiellement sur la caractérisation et la modélisation du transistor MOS de puissance en carbure de silicium ainsi que l'efficacité de la conversion et la compatibilité électromagnétique.