L'objectif de cette thèse est d'étudier le comportement et l'efficacité des composants électroniques dans les applications de puissance à basse température, en l'occurrence entre 20 K et 100 K. Cette étude comporte deux volets. Tout d'abord, il est nécessaire de comprendre et de caractériser les mécanismes impliqués à basse température dans les semi-conducteurs. Pour cette partie, une étude expérimentale des matériaux seuls à basse température doit être réalisée. Cette partie sera suivie par l'étude expérimentale et théorique des jonctions élémentaires (semi-conducteur-semiconducteur / métal-semiconducteur) à basse température. Les résultats obtenus pour ces briques élémentaires seront utilisés pour comprendre les phénomènes mis en jeu dans les systèmes plus complexes correspondant aux dispositifs électroniques de puissance. Parallèlement à ces travaux, il est nécessaire de vérifier quels composants sont encore fonctionnels dans cette gamme de température et de les caractériser. L'un des défis à long terme est de construire des convertisseurs qui pourraient être directement intégrés dans des applications supraconductrices à basse température.